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Lead Principal Engineer Device Development RF-GaN (w/m/div) - image 1
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Features

Location93049 Regensburg
CompanyInfineon Technologies AG
Website / Domaininfineon.at
Employment typeFull-time
Branche / BerufsfeldTechnik & Produktion
KarrierestufeSenior / Spezialist
BundeslandBAYERN
SalaryAttraktives Vergütungspaket

Description

Lead Principal Engineer Device Development RF-GaN (w/m/div) bei Infineon Technologies AG in 93049 Regensburg. Berufsfeld: Ingenieur/in - Mikroelektronik Arbeitsort: 93049, Regensburg Referenznummer: 12874-1634380-1-S 🌐 Direkt zur Stellenausschreibung & Bewerbung: https://www.arbeitsagentur.de/jobsuche/jobdetail/12874-1634380-1-S

#jobfeed:ba:12874-1634380-1-S#provider:ba#country:DE
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
🌐 infineon.at

Lead Principal Engineer Device Development RF-GaN (w/m/div)

Attraktives Vergütungspaket
💼 Full-time
93049 Regensburg
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